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D175K150E
ADJ PWR RES 150 OHM 175W CHAS MT
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D175K150E
Adjustable Power Resistor
Ohmite
ADJ PWR RES 150
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$10.4400

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ADJ PWR RES 150
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D175K150E
松下-Panasonic
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors
D175K150E
TRANSYS
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
D175K150E
捷捷微-JieJie
可控硅&二极管模块
D175K150E
里阳-Liown
二极管芯片
D175K150E
力特-Littelfuse
径向引线型压敏电阻
D175K150E
力特-Littelfuse
J级保险丝
D175K150E
华汕-Huashan
通用晶体管
D175K150E
竞沃-TLC
自恢复保险丝
D175K150E
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
D175K150E
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
D175K150E
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
D175K150E
Powersem
DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline
D175K150E
东芝-Toshiba
2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD
D175K150E
莱姆-LEM
电流传感器
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
意法-ST
最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
罗姆-ROHM
带64级调光功能 恒电流LED驱动器 最多可驱动4个LED
D175K150E
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
安世-Nexperia
PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
D175K150E
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
D175K150E
罗姆-ROHM
4V Drive Nch MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
罗姆-ROHM
Low VCE(sat) Transistor
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
罗姆-ROHM
Driver Transistor
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
安世-Nexperia
30 V, Dual N-channel Trench MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
德州仪器-TI
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
D175K150E
英飞凌-Infineon
Rectifier Diode Module
D175K150E
英飞凌-Infineon
可控硅/二极管模块
D175K150E
松下-Panasonic
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D175K150E
TRANSYS
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D175K150E
捷捷微-JieJie
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D175K150E
里阳-Liown
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D175K150E
力特-Littelfuse
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D175K150E
力特-Littelfuse
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D175K150E
华汕-Huashan
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D175K150E
竞沃-TLC
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Powersem
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Powersem
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Powersem
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Powersem
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东芝-Toshiba
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莱姆-LEM
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D175K150E
德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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D175K150E
德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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D175K150E
德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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罗姆-ROHM
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D175K150E
德州仪器-TI
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意法-ST
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D175K150E
德州仪器-TI
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罗姆-ROHM
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德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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罗姆-ROHM
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德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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德州仪器-TI
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英飞凌-Infineon
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英飞凌-Infineon
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Product parameters
PDF(1)
TYPEDESCRIPTION
MfrOhmite
SeriesDividohm®210
PackageBulk
Product StatusACTIVE
Tolerance±10%
Package / CaseRadial, 3 Lead, Tubular
Adjustment TypeSlide
Mounting TypeChassis Mount
Diameter1.126" OD, 0.752" ID (28.60mm x 19.10mm)
Length8.500" (215.90mm)
TerminationSolder Lug
Resistance150 Ohms
Power (Watts)175 W
captcha

+86-19926599677

luke@huizdt.com

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